Pesquisadores chineses aumentam em 100 vezes a durabilidade de memória avançada

Pesquisadores da Xidian University, em colaboração com a City University of Hong Kong e a Fudan University, desenvolveram um método para aumentar a durabilidade de memórias baseadas em ferroelétricos de wurtzita. O dispositivo superou 10 bilhões de ciclos de gravação, cerca de 100 vezes o resultado anterior com o mesmo material, ao restringir o movimento de vacâncias de nitrogênio. Publicada na revista Science, a pesquisa pode aproximar essa tecnologia de aplicações práticas, especialmente porque materiais como nitreto de alumínio e escândio oferecem comutação rápida, potencial baixo consumo de energia e compatibilidade com processos existentes de fabricação de semicondutores.